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Low-Voltage, Flexible IGZO Transistors Gated by PSSNa Electrolyte

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所属单位：微电子学院

发表刊物：IEEE Electron Device Letters

全部作者：徐明升,王卿璞,辛倩,宋爱民

第一作者：杜路路

论文类型：基础研究

论文编号：E30636329F7F4201AB68DFD2CE8AC89E

卷号：39

期号：9

页面范围：1334

是否译文：否

发表时间：2018-09-01

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宋爱民 (教授)