Low-Voltage, Flexible IGZO Transistors Gated by PSSNa Electrolyte
发布时间：2019-10-25 点击数：
所属单位：集成电路学院
论文名称：Low-Voltage, Flexible IGZO Transistors Gated by PSSNa Electrolyte
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
第一作者：杜路路
全部作者：徐明升,王卿璞,辛倩,宋爱民
论文编号：E30636329F7F4201AB68DFD2CE8AC89E
卷号：39
期号：9
页面范围：1334
字数：4
是否译文：否
发表时间：2018-08