Half-volt operation of IGZO thin-film transistors enabled by ultrathin HfO2 gate dielectric
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所属单位：微电子学院
发表刊物：Applied physics letters
全部作者：辛倩,李玉香,宋爱民
第一作者：马鹏飞
论文类型：应用研究
论文编号：BCE60C230EC744E29AE7416AA84BAF14
卷号：113
期号：6
是否译文：否
发表时间：2018-08-06
发表时间：2018-08-06