Half-volt operation of IGZO thin-film transistors enabled by ultrathin HfO2 gate dielectric
发布时间：2019-10-25 点击数：
所属单位：集成电路学院
论文名称：Half-volt operation of IGZO thin-film transistors enabled by ultrathin HfO2 gate dielectric
发表刊物：APPLIED PHYSICS LETTERS
第一作者：马鹏飞
全部作者：辛倩,李玉香,宋爱民
论文编号：BCE60C230EC744E29AE7416AA84BAF14
卷号：113
期号：6
是否译文：否
发表时间：2018-08