Complementary Metal Oxide Semiconductor-Compatible, High-Mobility, 111-Oriented GaSb Nanowires Enabled by Vapor–Solid–Solid Chemical Vapor Deposition
点击次数:
所属单位:集成电路学院
发表刊物:ACS nano
全部作者:杨再兴,宋爱民
第一作者:杨再兴
论文编号:5CA3C35A3B524FFBB8A7B3678A9A1907
是否译文:否
发表时间:2017-03-29
发表时间:2017-03-29