Achieving high performance Ga2O3 diodes by adjusting chemical composition of tin oxide Schottky electrode
发布时间：2019-10-25 点击数：
所属单位：集成电路学院
论文名称：Achieving high performance Ga2O3 diodes by adjusting chemical composition of tin oxide Schottky electrode
发表刊物：Semiconductor Science and Technology
第一作者：辛倩
全部作者：陶绪堂,宋爱民,徐明升,穆文祥,贾志泰,王鑫煜,辛公明,辛倩
论文编号：343681EE28154666B317A53CC22C80CE
期号：34
字数：4500
是否译文：否
发表时间：2019-06