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Achieving high performance Ga2O3 diodes by adjusting chemical composition of tin oxide Schottky electrode

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所属单位：集成电路学院

发表刊物：Semiconductor Science and Technology

全部作者：辛倩,陶绪堂,宋爱民,徐明升,穆文祥,贾志泰,王鑫煜,辛公明

第一作者：辛倩

论文编号：343681EE28154666B317A53CC22C80CE

期号：34

字数：4500

是否译文：否

发表时间：2019-06-06

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宋爱民 (教授)