Reactive evaporation of SiOx films for passivation of GaN high-electron-mobility transistors
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所属单位:微电子学院
发表刊物:Journal of Physics and Chemistry of Solids
全部作者:陈秀芳,徐现刚,冯先进,宋爱民
第一作者:朱庚昌
论文类型:基础研究
论文编号:85535CE6C2014EA88B75ED455D46DDBD
卷号:129
期号:无
页面范围:54
是否译文:否
发表时间:2019-06-01
发表时间:2019-06-01