Schottky-barrier thin-film transistors based on HfO2-capped InSe
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所属单位:集成电路学院
发表刊物:APPLIED PHYSICS LETTERS
全部作者:辛倩,宋爱民,王一鸣,时彦朋,张翼飞
第一作者:辛倩
论文编号:7B2AFA27B7F54882ACFDC3B4111227BF
卷号:115
期号:1
字数:4500
是否译文:否
发表时间:2019-07-16
发表时间:2019-07-16