Schottky-barrier thin-film transistors based on HfO2-capped InSe
发布时间：2019-10-25 点击数：
所属单位：集成电路学院
论文名称：Schottky-barrier thin-film transistors based on HfO2-capped InSe
发表刊物：APPLIED PHYSICS LETTERS
第一作者：辛倩
全部作者：王一鸣,时彦朋,张翼飞,宋爱民,辛倩
论文编号：7B2AFA27B7F54882ACFDC3B4111227BF
卷号：115
期号：1
字数：4500
是否译文：否
发表时间：2019-07