Low-Voltage, Flexible IGZO Transistors Gated by PSSNa Electrolyte
发布时间：2020-03-06 点击数：
所属单位：微电子学院
论文名称：Low-Voltage, Flexible IGZO Transistors Gated by PSSNa Electrolyte
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
第一作者：杜路路
全部作者：徐明升,王卿璞,辛倩,宋爱民
论文类型：基础研究
论文编号：2018zxsei1419
卷号：31
期号：9
页面范围：1334
是否译文：否
发表时间：2018-12