Low-Voltage, Flexible IGZO Transistors Gated by PSSNa Electrolyte
点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
全部作者：徐明升,王卿璞,辛倩,宋爱民
第一作者：杜路路
论文类型：基础研究
论文编号：2018zxsei1419
卷号：31
期号：9
页面范围：1334
是否译文：否
发表时间：2018-12-30
发表时间：2018-12-30
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
办公地点：软件园校区
电子邮箱：songam@sdu.edu.cn
Low-Voltage, Flexible IGZO Transistors Gated by PSSNa Electrolyte
点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
全部作者：徐明升,王卿璞,辛倩,宋爱民
第一作者：杜路路
论文类型：基础研究
论文编号：2018zxsei1419
卷号：31
期号：9
页面范围：1334
是否译文：否
发表时间：2018-12-30
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