Highly Optimized Complementary Inverters Based on p-SnO and n-InGaZnO with High Uniformity
发布时间：2020-03-06 点击数：
所属单位：微电子学院
论文名称：Highly Optimized Complementary Inverters Based on p-SnO and n-InGaZnO with High Uniformity
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
第一作者：杨进
全部作者：辛倩,王一鸣,周莉,王卿璞,宋爱民
论文类型：基础研究
论文编号：2018zxsei1294
卷号：32
期号：4
页面范围：516
是否译文：否
发表时间：2018-12