Charge-trapping memory based on tri-layer alumina gate stack and InGaZnO channel
发布时间：2020-06-05 点击数：
所属单位：集成电路学院
论文名称：Charge-trapping memory based on tri-layer alumina gate stack and InGaZnO channel
发表刊物：SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
第一作者：马鹏飞
论文编号：ED7FB9B9098F4949949DD0339CBED711
卷号：35
期号：5
字数：5
是否译文：否
发表时间：2020-04