Charge-trapping memory based on tri-layer alumina gate stack and InGaZnO channel
点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
第一作者：马鹏飞
论文类型：应用研究
论文编号：ED7FB9B9098F4949949DD0339CBED711
卷号：35
期号：5
是否译文：否
发表时间：2020-04-09
发表时间：2020-04-09
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
办公地点：软件园校区
电子邮箱：songam@sdu.edu.cn
Charge-trapping memory based on tri-layer alumina gate stack and InGaZnO channel
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所属单位：微电子学院
发表刊物：SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
第一作者：马鹏飞
论文类型：应用研究
论文编号：ED7FB9B9098F4949949DD0339CBED711
卷号：35
期号：5
是否译文：否
发表时间：2020-04-09
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