SnOX-Based mu W-Power Dual-Gate Ion-Sensitive Thin-Film Transistors With Linear Dependence of pH Values on Drain Current
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所属单位：集成电路学院
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
第一作者：袁玉卓
论文编号：08C178EC712F46CEB7E6A145336036B2
卷号：42
期号：1
页面范围：54
字数：3500
是否译文：否
发表时间：2021-01-01
发表时间：2021-01-01