宋爱民山东大学主页平台管理系统--中文主页

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Complementary Integrated Circuits Based on n-Type and p-Type Oxide Semiconductors for Applications Beyond Flat-Panel Displays

点击次数：

所属单位：微电子学院

发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices

第一作者：李云鹏

论文类型：基础研究

论文编号：2FFC69CD9EC3477C83E1D5861B7CD6A3

卷号：66

期号：2

页面范围：950

是否译文：否

发表时间：2019-02-01

上一条： Ambipolar SnO<inf>x</inf>thin-film transistors achieved at high sputtering power

下一条： SnOX-Based mu W-Power Dual-Gate Ion-Sensitive Thin-Film Transistors With Linear Dependence of pH Values on Drain Current

宋爱民 (教授)