宋爱民山东大学主页平台管理系统--中文主页

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Ambipolar SnO<inf>x</inf>thin-film transistors achieved at high sputtering power

点击次数：

所属单位：微电子学院

发表刊物：Applied Physics Letters

第一作者：李云鹏

论文类型：基础研究

论文编号：2018zxsei682

卷号：27

期号：18

是否译文：否

发表时间：2018-12-30

上一条： Organic and inorganic passivation of p-type SnO thin-film transistors with different active layer thicknesses

下一条： Complementary Integrated Circuits Based on n-Type and p-Type Oxide Semiconductors for Applications Beyond Flat-Panel Displays

宋爱民 (教授)