High-Performance Flexible Schottky Diodes Based on Sputtered InGaZnO
点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices
第一作者：杜路路
论文类型：基础研究
论文编号：2018zxsei1473
卷号：40
期号：10
页面范围：4326
字数：5000
是否译文：否
发表时间：2018-12-30
发表时间：2018-12-30
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
办公地点：软件园校区
电子邮箱：songam@sdu.edu.cn
High-Performance Flexible Schottky Diodes Based on Sputtered InGaZnO
点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices
第一作者：杜路路
论文类型：基础研究
论文编号：2018zxsei1473
卷号：40
期号：10
页面范围：4326
字数：5000
是否译文：否
发表时间：2018-12-30
发表时间：2018-12-30