Complementary Integrated Circuits Based on p-Type SnO and n-Type IGZO Thin-Film Transistors
点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
第一作者：李云鹏
论文类型：基础研究
论文编号：2018zxsei1385
卷号：24
期号：2
页面范围：208
字数：4000
是否译文：否
发表时间：2018-12-30
发表时间：2018-12-30
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
办公地点：软件园校区
电子邮箱：songam@sdu.edu.cn
Complementary Integrated Circuits Based on p-Type SnO and n-Type IGZO Thin-Film Transistors
点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
第一作者：李云鹏
论文类型：基础研究
论文编号：2018zxsei1385
卷号：24
期号：2
页面范围：208
字数：4000
是否译文：否
发表时间：2018-12-30
发表时间：2018-12-30