Complementary Integrated Circuits Based on p-Type SnO and n-Type IGZO Thin-Film Transistors
发布时间：2022-01-18 点击数：
所属单位：微电子学院
论文名称：Complementary Integrated Circuits Based on p-Type SnO and n-Type IGZO Thin-Film Transistors
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
第一作者：李云鹏
论文类型：基础研究
论文编号：2018zxsei1385
卷号：24
期号：2
页面范围：208
字数：4000
是否译文：否
发表时间：2018-12