Charge-trapping memory based on tri-layer alumina gate stack and InGaZnO channel
发布时间：2022-01-18 点击数：
所属单位：集成电路学院
论文名称：Charge-trapping memory based on tri-layer alumina gate stack and InGaZnO channel
发表刊物：SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
第一作者：马鹏飞
论文编号：419298800B7E4787B96E7EF0679BE71C
卷号：35
期号：5
字数：5000
是否译文：否
发表时间：2020-05