Charge-trapping memory based on tri-layer alumina gate stack and InGaZnO channel
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所属单位：微电子学院
发表刊物：SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
第一作者：马鹏飞
论文类型：基础研究
论文编号：419298800B7E4787B96E7EF0679BE71C
卷号：35
期号：5
字数：5000
是否译文：否
发表时间：2020-05-01
发表时间：2020-05-01