Toward High-Peak-to-Valley-Ratio Graphene Resonant Tunneling Diodes
点击次数：
所属单位：集成电路学院
发表刊物：Nano Letters
论文编号：7A2FF305BB674DA9BEABA493270B7188
卷号：23
期号：17
页面范围：8132
字数：5
是否译文：否
发表时间：2023-09-05
发表时间：2023-09-05
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
办公地点：软件园校区
电子邮箱：songam@sdu.edu.cn
Toward High-Peak-to-Valley-Ratio Graphene Resonant Tunneling Diodes
点击次数：
所属单位：集成电路学院
发表刊物：Nano Letters
论文编号：7A2FF305BB674DA9BEABA493270B7188
卷号：23
期号：17
页面范围：8132
字数：5
是否译文：否
发表时间：2023-09-05
发表时间：2023-09-05