Post-annealing effect of low temperature atomic layer deposited Al2O3 on the top gate IGZO TFT
点击次数：
所属单位：集成电路学院
发表刊物：NANOTECHNOLOGY
第一作者：郑帅英
论文编号：1754450335667867649
卷号：35
期号：15
字数：7
是否译文：否
发表时间：2024-04-08
发表时间：2024-04-08
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
办公地点：软件园校区
电子邮箱：songam@sdu.edu.cn
Post-annealing effect of low temperature atomic layer deposited Al2O3 on the top gate IGZO TFT
点击次数：
所属单位：集成电路学院
发表刊物：NANOTECHNOLOGY
第一作者：郑帅英
论文编号：1754450335667867649
卷号：35
期号：15
字数：7
是否译文：否
发表时间：2024-04-08
发表时间：2024-04-08