Post-annealing effect of low temperature atomic layer deposited Al2O3 on the top gate IGZO TFT
点击次数:
所属单位:集成电路学院
发表刊物:NANOTECHNOLOGY
第一作者:郑帅英
论文编号:DFB94002A24C4981A267B49A56B9EC7A
卷号:35
期号:0
页面范围:155203
字数:7
是否译文:否
发表时间:2024-04-08
发表时间:2024-04-08