Post-annealing effect of low temperature atomic layer deposited Al2O3 on the top gate IGZO TFT
发布时间：2024-05-22 点击数：
所属单位：集成电路学院
论文名称：Post-annealing effect of low temperature atomic layer deposited Al2O3 on the top gate IGZO TFT
发表刊物：Nanotechnology
第一作者：郑帅英
论文编号：DFB94002A24C4981A267B49A56B9EC7A
卷号：35
期号：0
页面范围：155203
字数：7
是否译文：否
发表时间：2024-04