一种优化基于氧化物半导体的CMOS反相器门限电压的方法
点击次数:
所属单位:微电子学院
申请专利人:辛倩,宋爱民
专利类型:发明
申请号:2018110099435
发明人数:2
是否职务专利:否
申请日期:2018-08-31
申请日期:2018-08-31
一种优化基于氧化物半导体的CMOS反相器门限电压的方法
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所属单位:微电子学院
申请专利人:辛倩,宋爱民
专利类型:发明
申请号:2018110099435
发明人数:2
是否职务专利:否
申请日期:2018-08-31
申请日期:2018-08-31