一种优化基于氧化物半导体的CMOS反相器门限电压的方法
发布时间：2019-04-15 点击数：
专利名称：一种优化基于氧化物半导体的CMOS反相器门限电压的方法
所属单位：微电子学院
专利类型：发明
申请号：2018110099435
发明人数：2
是否职务专利：否
申请日期：2018-08-31
宋爱民
博士生导师 硕士生导师
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：集成电路学院
所属院系： 集成电路学院
办公地点：软件园校区
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