一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法
点击次数:
所属单位:物理学院
申请专利人:张锡健,宋爱民
专利类型:发明
申请号:2015100965822
发明人数:2
是否职务专利:否
申请日期:2015-03-04
申请日期:2015-03-04
一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法
点击次数:
所属单位:物理学院
申请专利人:张锡健,宋爱民
专利类型:发明
申请号:2015100965822
发明人数:2
是否职务专利:否
申请日期:2015-03-04
申请日期:2015-03-04