一种利用钯/钯氧化物双层肖特基电极制备氧化物半导体肖特基二极管的方法
点击次数：
所属单位：集成电路学院
专利类型：发明
申请号：201911181274.4
发明人数：2
是否职务专利：否
申请日期：2019-11-27
公开日期：2024-02-06
授权日期：2024-02-06
公开日期：2024-02-06
申请日期：2019-11-27
授权日期：2024-02-06
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
办公地点：软件园校区
电子邮箱：songam@sdu.edu.cn
一种利用钯/钯氧化物双层肖特基电极制备氧化物半导体肖特基二极管的方法
点击次数：
所属单位：集成电路学院
专利类型：发明
申请号：201911181274.4
发明人数：2
是否职务专利：否
申请日期：2019-11-27
公开日期：2024-02-06
授权日期：2024-02-06
公开日期：2024-02-06
申请日期：2019-11-27
授权日期：2024-02-06