TDDB characteristic and breakdown mechanism of ultra-thin SiO2/HfO2 bilayer gate dielectrics
点击次数：
所属单位：信息科学与工程学院
发表刊物：Journal of Semiconductors
第一作者：王卿璞
论文类型：应用研究
论文编号：lw-153554
卷号：35
期号：6
页面范围：064003-1
是否译文：否
发表时间：2014-06-01
发表时间：2014-06-01
教授 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：博士研究生毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
入职时间：1987-07-01
职务：院党委书记、副院长
学科：微电子学与固体电子学
办公地点：高新区软件校区微电子学院3B202室
电子邮箱：wangqingpu@sdu.edu.cn
TDDB characteristic and breakdown mechanism of ultra-thin SiO2/HfO2 bilayer gate dielectrics
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所属单位：信息科学与工程学院
发表刊物：Journal of Semiconductors
第一作者：王卿璞
论文类型：应用研究
论文编号：lw-153554
卷号：35
期号：6
页面范围：064003-1
是否译文：否
发表时间：2014-06-01
发表时间：2014-06-01