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TDDB characteristic and breakdown mechanism of ultra-thin SiO2/HfO2 bilayer gate dielectrics

发布时间：2019-04-14 点击数：

所属单位：信息科学与工程学院

论文名称：TDDB characteristic and breakdown mechanism of ultra-thin SiO2/HfO2 bilayer gate dielectrics

发表刊物：Journal of Semiconductors

第一作者：王卿璞

论文类型：应用研究

论文编号：lw-153554

卷号：35

期号：6

页面范围：064003-1

是否译文：否

发表时间：2014-06

上一条： Characteristics of sputtered Y-doped IZO thin films and devices

下一条： The effects of selenization temperature on the properties of CIGS thin film prepared by Cu-In-Ga-Se precursors. Advanced Materials Research Vol. 528 (2012) pp 214-218.

王卿璞 (教授)

TDDB characteristic and breakdown mechanism of ultra-thin SiO2/HfO2 bilayer gate dielectrics