High-Performance Flexible Schottky Diodes Based on Sputtered InGaZnO
发布时间：2019-04-14 点击数：
所属单位：微电子学院
论文名称：High-Performance Flexible Schottky Diodes Based on Sputtered InGaZnO
发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices
第一作者：杜路路
全部作者：徐明升,王卿璞,宋爱民,辛倩
论文类型：基础研究
论文编号：1E179A25ADB746D38B1185895D43D195
卷号：65
期号：10
页面范围：4326
是否译文：否
发表时间：2018-10