High-Performance Flexible Schottky Diodes Based on Sputtered InGaZnO
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所属单位：微电子学院
发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices
全部作者：徐明升,王卿璞,宋爱民,辛倩
第一作者：杜路路
论文类型：基础研究
论文编号：1E179A25ADB746D38B1185895D43D195
卷号：65
期号：10
页面范围：4326
是否译文：否
发表时间：2018-10-01
发表时间：2018-10-01