Low-Voltage, Flexible IGZO Transistors Gated by PSSNa Electrolyte
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所属单位：微电子学院
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
全部作者：徐明升,王卿璞,辛倩,宋爱民
第一作者：杜路路
论文类型：基础研究
论文编号：E30636329F7F4201AB68DFD2CE8AC89E
卷号：39
期号：9
页面范围：1334
是否译文：否
发表时间：2018-09-01
发表时间：2018-09-01