Amorphous-InGaZnO Thin-Film Transistors Operating Beyond 1 GHz Achieved by Optimizing the Channel and Gate Dimensions
发布时间：2019-04-14 点击数：
所属单位：微电子学院
论文名称：Amorphous-InGaZnO Thin-Film Transistors Operating Beyond 1 GHz Achieved by Optimizing the Channel and Gate Dimensions
发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices
第一作者：王一鸣
全部作者：辛倩,宋爱民,时彦朋,李玉香,王卿璞
论文类型：基础研究
论文编号：C5CBECE11DEA4D5F8D7D91066B25046F
卷号：65
期号：4
页面范围：1377
是否译文：否
发表时间：2018-04