Performance regeneration of InGaZnO transistors with ultra-thin channels
点击次数:
所属单位:微电子学院
发表刊物:Applied physics letters
全部作者:王卿璞
第一作者:张锡健
论文类型:基础研究
论文编号:lw-168482
卷号:106
期号:9
页面范围:093506
是否译文:否
发表时间:2015-03-01
发表时间:2015-03-01
Performance regeneration of InGaZnO transistors with ultra-thin channels
点击次数:
所属单位:微电子学院
发表刊物:Applied physics letters
全部作者:王卿璞
第一作者:张锡健
论文类型:基础研究
论文编号:lw-168482
卷号:106
期号:9
页面范围:093506
是否译文:否
发表时间:2015-03-01
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