TDDB characteristic and breakdown mechanism of ultra-thin SiO2/HfO2 bilayer gate dielectrics
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所属单位：信息科学与工程学院
发表刊物：Journal of Semiconductors
第一作者：王卿璞
论文类型：应用研究
论文编号：lw-153554
卷号：35
期号：6
页面范围：064003-1
是否译文：否
发表时间：2014-06-01
发表时间：2014-06-01
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