Performance regeneration of InGaZnO transistors with ultra-thin channels
点击次数:
所属单位:集成电路学院
发表刊物:APPLIED PHYSICS LETTERS
全部作者:王卿璞
第一作者:王卿璞
论文编号:lw-183821
卷号:106, 093506
是否译文:否
发表时间:2015-09-10
发表时间:2015-09-10
Performance regeneration of InGaZnO transistors with ultra-thin channels
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所属单位:集成电路学院
发表刊物:APPLIED PHYSICS LETTERS
全部作者:王卿璞
第一作者:王卿璞
论文编号:lw-183821
卷号:106, 093506
是否译文:否
发表时间:2015-09-10
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