Performance regeneration of InGaZnO transistors with ultra-thin channels
发布时间：2019-10-24 点击数：
所属单位：集成电路学院
论文名称：Performance regeneration of InGaZnO transistors with ultra-thin channels
发表刊物：APPLIED PHYSICS LETTERS
第一作者：张锡健
全部作者：王卿璞,张锡健
论文编号：lw-168482
卷号：106
期号：9
页面范围：093506
字数：3
是否译文：否
发表时间：2015-03