Highly Optimized Complementary Inverters Based on p-SnO and n-InGaZnO With High Uniformity
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所属单位：微电子学院
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
全部作者：辛倩,王一鸣,周莉,王卿璞,宋爱民
第一作者：杨进
论文类型：基础研究
论文编号：380A7EA0D0E84282A8B90E41FA3EADCD
卷号：39
期号：4
页面范围：516
是否译文：否
发表时间：2018-04-01
发表时间：2018-04-01