Highly Optimized Complementary Inverters Based on p-SnO and n-InGaZnO With High Uniformity
发布时间：2019-10-24 点击数：
所属单位：集成电路学院
论文名称：Highly Optimized Complementary Inverters Based on p-SnO and n-InGaZnO With High Uniformity
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
第一作者：杨进
全部作者：王卿璞,宋爱民,辛倩,王一鸣,周莉
论文编号：380A7EA0D0E84282A8B90E41FA3EADCD
卷号：39
期号：4
页面范围：516
字数：4
是否译文：否
发表时间：2018-03