All-Oxide-Semiconductor-Based Thin-Film Complementary Static Random Access Memory
发布时间：2019-10-24 点击数：
所属单位：集成电路学院
论文名称：All-Oxide-Semiconductor-Based Thin-Film Complementary Static Random Access Memory
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
第一作者：杨进
全部作者：辛倩,宋爱民,王一鸣,王卿璞,周莉
论文编号：2532544AF4F5476799F6AF1C6F32887A
卷号：39
期号：12
页面范围：1876
字数：4000
是否译文：否
发表时间：2018-11