TDDB characteristic and breakdown mechanism of ultra-thin SiO2/HfO2 bilayer gate dielectrics
发布时间：2019-11-06 点击数：
所属单位：集成电路学院
论文名称：TDDB characteristic and breakdown mechanism of ultra-thin SiO2/HfO2 bilayer gate dielectrics
发表刊物：Journal of Semiconductors
第一作者：王卿璞
全部作者：王卿璞
论文编号：lw-153554
卷号：35
期号：6
页面范围：64003
字数：5
是否译文：否
发表时间：2014-01