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Characteristics of sputtered Y-doped IZO thin films and devices

发布时间：2019-11-06 点击数：

所属单位：集成电路学院

论文名称：Characteristics of sputtered Y-doped IZO thin films and devices

发表刊物：半导体学报(英文版)

第一作者：王卿璞

全部作者：王卿璞

论文编号：2D6AFE0385C6407E936066BFDF91139A

字数：5

是否译文：否

发表时间：2015-09

上一条： A binary-weighted 64-dB programmable gain amplifier with a DCOC and AB-class buffer

下一条： The effects of selenization temperature on the properties of CIGS thin film prepared by Cu-In-Ga-Se precursors. Advanced Materials Research Vol. 528 (2012) pp 214-218.

王卿璞 (教授)

Characteristics of sputtered Y-doped IZO thin films and devices