Low-Voltage, Flexible IGZO Transistors Gated by PSSNa Electrolyte
点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
全部作者：徐明升,王卿璞,辛倩,宋爱民
第一作者：杜路路
论文类型：基础研究
论文编号：2018zxsei1419
卷号：31
期号：9
页面范围：1334
是否译文：否
发表时间：2018-12-30
发表时间：2018-12-30
教授 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：博士研究生毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
入职时间：1987-07-01
职务：院党委书记、副院长
学科：微电子学与固体电子学
办公地点：高新区软件校区微电子学院3B202室
电子邮箱：wangqingpu@sdu.edu.cn
Low-Voltage, Flexible IGZO Transistors Gated by PSSNa Electrolyte
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所属单位：微电子学院
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
全部作者：徐明升,王卿璞,辛倩,宋爱民
第一作者：杜路路
论文类型：基础研究
论文编号：2018zxsei1419
卷号：31
期号：9
页面范围：1334
是否译文：否
发表时间：2018-12-30
发表时间：2018-12-30