Improved performance of InSe field-effect transistors by channel encapsulation
发布时间：2019-10-24
点击次数：
- 所属单位：
- 集成电路学院
- 论文名称：
- Improved performance of InSe field-effect transistors by channel encapsulation
- 发表刊物：
- Semiconductor Science and Technology
- 第一作者：
- 梁广大
- 全部作者：
- 杨再兴,辛倩,宋爱民,115000170001,王一鸣
- 论文编号：
- 229D178CE76143EAB1DD3BF02D002873
- 卷号：
- 33
- 期号：
- 6
- 字数：
- 5
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2018-06
- 发布时间：
- 2019-10-24