王一鸣

高级实验师

硕士生导师

院工会主席、实验与实践中心副主任、集成电路工艺创新平台主任

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Highly Optimized Complementary Inverters Based on p-SnO and n-InGaZnO with High Uniformity
  • 所属单位：
    微电子学院
  • 发表刊物：
    IEEE Electron Device Letters
  • 全部作者：
    宋爱民,王一鸣,林兆军,周莉,辛倩
  • 第一作者：
    李云鹏
  • 论文类型：
    基础研究
  • 论文编号：
    336EFF6A821E4222AA5EAB0BA52D3891
  • 卷号：
    39
  • 期号：
    2
  • 页面范围：
    208
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2018-02-01
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