Schottky-barrier thin-film transistors based on HfO2-capped InSe
发布时间：2019-10-25
点击次数：
- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- APPLIED PHYSICS LETTERS
- 全部作者：
- 辛倩,宋爱民,王一鸣,时彦朋,张翼飞
- 第一作者：
- 辛倩
- 论文编号：
- 7B2AFA27B7F54882ACFDC3B4111227BF
- 卷号：
- 115
- 期号：
- 1
- 字数：
- 4500
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2019-07-16