Performance enhancement of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors by thermally evaporated SiO passivation
发布时间：2019-10-27
点击次数：
- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- APPLIED PHYSICS LETTERS
- 全部作者：
- 王一鸣,冯先进,宋爱民
- 第一作者：
- 朱庚昌
- 论文编号：
- lw-178680
- 卷号：
- 109
- 期号：
- 11
- 页面范围：
- 113503
- 字数：
- 3
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2016-09-12