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Toward High-Peak-to-Valley-Ratio Graphene Resonant Tunneling Diodes
发布时间:2023-11-12
点击次数:
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
Nano Letters
论文编号:
7A2FF305BB674DA9BEABA493270B7188
卷号:
23
期号:
17
页面范围:
8132
字数:
5
是否译文:
否
发表时间:
2023-09-05
上一条:
Light-Triggered Anti-ambipolar Transistor Based on an In-Plane Lateral Homojunction
下一条:
A Universal Approach to Determine the Atomic Layer Numbers in Two-Dimensional Materials Using Dark-Field Optical Contrast