论文成果

返回中文主页

Light-Triggered Anti-ambipolar Transistor Based on an In-Plane Lateral Homojunction

发布时间:2024-11-20
点击次数:
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
纳米快报
第一作者:
韩鹤程
论文编号:
AC4C4AF29C1B4ED1A61F3CCC59D70707
卷号:
24
期号:
28
页面范围:
8602
字数:
6
是否译文:
发表时间:
2024-07-10