王勇
教授
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Large-area vertical Schottky barrier diodes based on 4H-SiC epilayers:Temperature-dependent electrical characteristics
发布时间:2025-10-20
  • 论文名称:
    Large-area vertical Schottky barrier diodes based on 4H-SiC epilayers:Temperature-dependent electrical characteristics
  • 发表刊物:
    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, A 1048 (2023) 167917
  • 是否译文:
  • 发布时间:
    2025-10-20
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