论文成果
Re-Annealing-Induced Recovery in 7nm Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Film: Phase Transition and Non-Switchable Region Repair
  • 所属单位:
    信息科学与工程学院
  • 发表刊物:
    IEEE Electron Device Letters
  • 第一作者:
    李晓鹏
  • 论文编号:
    B7387508BC04489DA41FA8F6DF9895B9
  • 期号:
    44(8)
  • 字数:
    3
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2023-08-01

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