论文成果
an der Waals heterostructure contact strategy for barrier-free 2D complementary transistors
  • 所属单位:
    信息科学与工程学院
  • 发表刊物:
    Advanced Functional Materials
  • 第一作者:
    桑鹏鹏
  • 论文编号:
    9BCE98CFD7AA489EA0FE5C6235ACD830
  • 期号:
    34
  • 字数:
    8
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2024-09-24

下一条:Polarization switching pathways of ferroelectric Zr-doped HfO2 based on the first-principles calculation

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