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论文成果
an der Waals heterostructure contact strategy for barrier-free 2D complementary transistors
  • 所属单位：
    信息科学与工程学院
  • 发表刊物：
    Advanced Functional Materials
  • 第一作者：
    桑鹏鹏
  • 论文编号：
    9BCE98CFD7AA489EA0FE5C6235ACD830
  • 期号：
    34
  • 字数：
    8
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2024-09-24

下一条：Polarization switching pathways of ferroelectric Zr-doped HfO2 based on the first-principles calculation

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