Anodic etching of GaN based film with a strong phase-separated InGaN/GaN layer: Mechanism and properties
发布时间：2019-10-24
点击次数：
- 所属单位：
- 集成电路学院
- 论文名称：
- Anodic etching of GaN based film with a strong phase-separated InGaN/GaN layer: Mechanism and properties
- 发表刊物：
- Applied Surface Science
- 第一作者：
- 肖洪地
- 全部作者：
- 刘建强,马瑾,肖洪地
- 论文编号：
- lw-185722
- 卷号：
- 387
- 页面范围：
- 406
- 字数：
- 4
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2016-07
- 发布时间：
- 2019-10-24