Ta-doped epitaxial beta-Ga2O3 films deposited on SrTiO3(100) substrates by MOCVD
发布时间：2021-05-28
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Materials Science in Semiconductor Processing
- 第一作者：
- 王迪
- 论文编号：
- F3B06BABF3F4429293F2971F17DBB39E
- 卷号：
- 128
- 字数：
- 5
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2021-06-15