Fabrication of a 2 inch free standing porous GaN crystal film and application in the growth of relaxed crack-free thick GaN
发布时间：2022-05-16
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- 所属单位：
- 新一代半导体材料研究院
- 发表刊物：
- CrystEngComm
- 第一作者：
- 刘磊
- 论文编号：
- E88578C2C177453189CF279BD1BF982A
- 期号：
- 23
- 页面范围：
- 7245
- 字数：
- 5000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2021-09-03