Fabrication of a 2 inch free standing porous GaN crystal film and application in the growth of relaxed crack-free thick GaN
发布时间：2022-06-05
点击次数：
- 所属单位：
- 新一代半导体材料研究院
- 发表刊物：
- CRYSTENGCOMM
- 第一作者：
- 刘磊
- 论文编号：
- C3867FFABC184F9BB1BBACD5493F69E6
- 卷号：
- 23
- 期号：
- 41
- 页面范围：
- 7245
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2021-10-25