所属单位：

集成电路学院

论文名称：

Vertical nanoporous GaN substrates for photonic engineering: Lu2O3:Eu single crystal thin films as an example

发表刊物：

JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS

第一作者：

肖洪地

论文编号：

91AE9D0F46CE49B684F39EBF9749BF06

期号：

892

页面范围：

162069

字数：

4

是否译文：

否

发表时间：

2021-09

发布时间：

2022-01-18