Study of Breakdown Voltage of Indium-Gallium-Zinc-Oxide-Based Schottky Diode
发布时间：2019-04-14
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- 所属单位：
- 物理学院
- 发表刊物：
- Applied physics letters
- 全部作者：
- 宋爱民
- 第一作者：
- 辛倩
- 论文类型：
- 基础研究
- 论文编号：
- lw-168548
- 卷号：
- 106
- 期号：
- 11
- 页面范围：
- 113506-1
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2015-03-20