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Study of breakdown voltage of indium-gallium-zinc-oxide-based Schottky diode
发布时间：2019-04-14
点击次数：
所属单位：
微电子学院
第一作者：
辛倩
论文类型：
基础研究
论文编号：
lw-199203
卷号：
106
页面范围：
113506
是否译文：
否
发表时间：
2015-03-02
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Seleno groups control the energy-level alignment between conjugated organic molecules and metals
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Low-frequency noise properties in Pt-indium gallium zinc oxide Schottky diodes
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